Bilele cu miez de cupru joacă un rol crucial în ambalarea 3D, menținând stabilitatea structurală, îmbunătățind performanța electrotermală și asigurând interconexiuni de înaltă-fiabilitate. În special în memoria HBM și cipurile AI, acestea reprezintă o tehnologie de sprijin de bază pentru obținerea de-stivuire de înaltă densitate și de calcul de înaltă-performanță.
Odată cu căutarea extremă a puterii de calcul și a ratelor de transfer de date în cipurile AI și a memoriei cu lățime de bandă mare-(HBM), bilele tradiționale de lipit se confruntă cu blocaje, cum ar fi colapsul și electromigrarea în cadrul proceselor multiple de lipire prin reflow și a sarcinilor de curent ridicate. Bile cu miez de cupru (CCSB), cu structura lor unică,
menține stabilitatea spațiului de pachet și acceptă stivuirea mai mult-straturilor. În ambalajele 3D, cipurile sunt supuse mai multor procese de lipire prin reflow. Bilele tradiționale de lipit se topesc complet la 250 de grade și sunt predispuse să se prăbușească sub presiunea componentelor-stratului superior, ducând la scurtcircuite. Cu toate acestea, miezul de cupru al bilei de cupru are un punct de topire de până la 1083 de grade, rămânând solid în timpul lipirii, susținând eficient golurile pachetului, prevenind deformarea și formarea punților și asigurând integritatea structurală a stivelor DRAM multi-HBM.
Îmbunătățirea performanței electrotermale pentru a îndeplini cerințele de consum mare de energie ale cipurilor AI.
Cu o conductivitate de 5-10 ori mai mare decât cea a bilelor de lipit, reduce semnificativ densitatea curentului, suprimă electromigrarea, prelungește durata de viață a îmbinărilor de lipit și asigură stabilitatea cipurilor de antrenament AI în condiții de funcționare cu sarcină mare-pe termen lung.
Conductivitatea termică superioară ajută la disiparea rapidă a căldurii din nucleele HBM și GPU, atenuând problemele „hot spot” și îmbunătățind fiabilitatea generală a sistemului.
